2016年，松下與富士通合作推出了第二代 ReRAM 技術(shù)。同樣基于 180nm 工藝，這款 4 Mbit 的 ReRAM 器件適用于便攜式和醫(yī)療產(chǎn)品等低功耗應(yīng)用。

目前，松下現(xiàn)在正在開發(fā) 40nm ReRAM，計劃是在 2018 年推出。聯(lián)電的一處代工廠正在為松下制造生產(chǎn)這項技術(shù)。

松下的 ReRAM 基于 OxRAM 方法。松下首席工程師 Zhiqiang Wei 說：“我們認(rèn)為 OxRAM 的滯留特性 （retention property）優(yōu)于 CBRAM。”

在 180nm 節(jié)點，松下的 ReRAM 基于一種 TaOx 材料，帶有一個 Ta2O5 stalking 矩陣。作為比較，Wei 說，40nm 節(jié)點 ReRAM 將會使用“同樣的基本概念，但并不完全一樣的堆疊方式。”

在器件方面，松下的 ReRAM 是圍繞 1T1R（單晶體管單電阻）架構(gòu)設(shè)計的。1T1R 需要很大的晶體管，以便為該器件提供足夠的驅(qū)動電流。這反過來又限制了芯片的內(nèi)存密度。

但 1T1R 對嵌入式內(nèi)存應(yīng)用而言很理想。OEM 會為嵌入式應(yīng)用使用 MCU 和其它芯片。一般來說，MCU 可以在同一個器件上集成嵌入式內(nèi)存。嵌入式內(nèi)存通常基于 EEPROM 或 NOR 閃存，可用于存儲代碼和其它數(shù)據(jù)。

那么 ReRAM 的適用領(lǐng)域是什么？在一個案例中，來自富士通-松下組合的 4 Mbit ReRAM 比 EEPROM 的密度更大。實際上，ReRAM 可以替代 EEPROM。

所以，嵌入式 ReRAM 的定位是低功耗、成本敏感、無需快速寫入速度的解決方案。聯(lián)電的 Sheu 說：“ReRAM 的定位是作為物聯(lián)網(wǎng)和其它應(yīng)用的低成本解決方案。”

目前 ReRAM 和相近的對手 STT-MRAM 有不同的市場定位。“MRAM 針對的是需要更高性能的應(yīng)用，比如 MCU 和汽車。”Sheu 說，“我們相信 STT-MRAM 未來可以成為一種優(yōu)良的非易失性內(nèi)存替代方案，因為它具有更好的擴展性和性能。”

在一種應(yīng)用中，STT-MRAM 的定位是在 22nm 及以后節(jié)點的 MCU 中替代 NOR。NOR 在 28nm 節(jié)點之后就難以擴展了，需要 STT-MRAM 這樣的新解決方案。隨著時間推移，ReRAM 也有可能成為 NOR 的替代技術(shù)。

到目前為止，STT-MRAM 已經(jīng)擴展到了 28nm，22nm 及以后節(jié)點也正在開發(fā)之中。而 Crossbar 的 ReRAM 技術(shù)處于 40nm 節(jié)點，28nm 及以后節(jié)點的技術(shù)仍在研發(fā)中。

無晶圓廠的創(chuàng)業(yè)公司 Crossbar 沒有使用 OxRAM 方法，而是使用了電化學(xué)金屬化工藝。據(jù)專家介紹，從機制的角度看，這項工藝使用了接近 CBRAM 的金屬離子細絲。

“OxRAM 的問題在于難以擴展。”Crossbar 營銷和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁 Sylvain Dubois 說，“它在單元內(nèi)部對細絲進行調(diào)節(jié)。其開關(guān)比（on/off ratio）不是很好。”

對于自己的電化學(xué)方案，Crossbar 聲稱開/關(guān)比會隨擴展而增加。Dubois 說：“這意味著當(dāng)你擴展到下一個工藝節(jié)點時，這種技術(shù)將會得到改善。”

所以，Crossbar 的 ReRAM 器件可以擴展到 40nm 節(jié)點之后。他說：“現(xiàn)在我們正在和一家 20 幾納米的晶圓代工廠合作，甚至還有一家 10 幾納米的晶圓代工合作伙伴。”

 

更重要的是，Crossbar 的 ReRAM 比閃存有更低的讀取延遲和更快的寫入性能。為了利用自己已經(jīng)推向市場的技術(shù)，Crossbar 正在開發(fā)兩種架構(gòu)——1T1R 和一種堆疊式內(nèi)存器件。

Crossbar 的 1T1R 技術(shù)針對的是嵌入式領(lǐng)域。其第一款 1T1R 產(chǎn)品基于 40nm 工藝，由中芯國際生產(chǎn)。

Crossbar 也在開發(fā)一種用于存儲級內(nèi)存應(yīng)用的技術(shù)。這種架構(gòu)由單個層組成，這些層堆疊在器件上。其中內(nèi)置了一個選擇器（selector），可以讓一個晶體管驅(qū)動一個或數(shù)千個內(nèi)存單元。

                                                                         
                                                                            圖 3：Crossbar 的堆疊式內(nèi)存架構(gòu)，來自 Crossbar

Dubois 說：“在 16nm 節(jié)點下，只需四層，我們就能得到 32 GB 的密度。只需較少的層，我們就能達到 GB 水平。”

Crossbar 這種堆疊式配置的 ReRAM 的目標(biāo)是用于固態(tài)硬盤和雙列直插式內(nèi)存模塊。對于這些應(yīng)用，ReRAM 通常與已有的內(nèi)存一起使用。它也可能替代一些 DRAM 和 NAND。

他說：“我認(rèn)為我們不會一夜之間就替代一種類別。我們是要開啟新的數(shù)據(jù)存取方式。所以我們并沒打算替代即插即用的閃存或 DRAM。而是用在它們之間。”

ReRAM 在嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域還是前景可觀的，但在存儲級內(nèi)存領(lǐng)域，這項技術(shù)將面臨很大的競爭。Applied 的 Ping 說：“它面臨著與已有解決方案的競爭。這個生態(tài)系統(tǒng)被更大的供應(yīng)商控制著，所以并不容易。” 

另外，將一種新內(nèi)存技術(shù)推向市場還需要大量資源。比如英特爾和美光正在推 3D XPoint 技術(shù)，它們當(dāng)然有資源為它們的業(yè)務(wù)開路。



本文關(guān)鍵詞：ReRAM  閃存

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