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主頁 ? 產(chǎn)品中心 ? NV RAM ? STT-MRAM ? Netsol ?
STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。
NETSOL MRAM產(chǎn)品非常適合那些由于STT-MRAM的非易失性、幾乎無限的持久性和快速寫入特性而必須快速頻繁地存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序。它們適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器,可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或nvSRAM。
Part Number Density Interfaces Organization VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Access Time(ns) Temperature Package Status PDF下載
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