目前，國內(nèi)存儲芯片市場正展現(xiàn)出持續(xù)增長的態(tài)勢。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)顯示，預計到2025年，國內(nèi)市場將達到4,580億人民幣的規(guī)模。
 
  然而，存儲行業(yè)具有明顯的周期性特征。在過去的幾年中，該行業(yè)經(jīng)歷了幾個關(guān)鍵階段：2020年，行業(yè)曾面臨供不應(yīng)求的狀況；而到了2021年和2022年，隨著市場的擴張，2023年供應(yīng)商和大型電子行業(yè)客戶開始采取去庫存措施，以適應(yīng)市場變化。
 
  與此同時，人工智能的快速發(fā)展也為存儲芯片市場帶來了新的機遇。無論是云端的大規(guī)模算力訓練，還是端側(cè)的推理，甚至是算力僅為幾十Tops的小型端側(cè)設(shè)備，對存儲芯片的需求都在持續(xù)增長，這將成為未來市場增長的關(guān)鍵因素。
 
  但在特定細分市場，存儲應(yīng)用正面臨萎縮。在這一背景下，國際主流廠商正逐步退出利基型市場，為中國本土存儲廠商提供了市場份額替代的機會。
 
  利基型DRAM，包括DDR3、小容量DDR4以及低功耗產(chǎn)品，其市場規(guī)模大約為100億美元。目前，國際主流存儲供應(yīng)商在這一細分市場的份額不足5%。隨著這些供應(yīng)商的逐步退出，國內(nèi)存儲供應(yīng)商迎來了寶貴的發(fā)展機遇。
 
  總體而言，存儲器行業(yè)的發(fā)展與國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化趨勢緊密相連。自2014年政府發(fā)布半導體指導方針文件以來，在過去十年間，國內(nèi)半導體公司在多個領(lǐng)域積極布局，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)替代并構(gòu)建全國產(chǎn)化的供應(yīng)鏈。政府的支持以及穩(wěn)定且旺盛的國內(nèi)市場需求，特別是在消費電子和人工智能領(lǐng)域的強勁需求，成為推動企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和國產(chǎn)替代的主要動力。


本文關(guān)鍵詞：存儲芯片

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