中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)。

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　　紫光集團(tuán)先前欲并購(gòu)美光、與 SK 海力士談授權(quán)最后都無疾而終，最終與獲得中國(guó)存儲(chǔ)統(tǒng)籌資源的武漢新芯合并，進(jìn)一步成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司，由紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)兼任長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)，大基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長(zhǎng)，并由原武漢新芯CEO楊士寧出任總經(jīng)理負(fù)責(zé) NAND Flash芯片，轉(zhuǎn)戰(zhàn)紫光的前華亞科董事長(zhǎng)則任長(zhǎng)江存儲(chǔ)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)重起爐灶籌備DRAM建廠。
 

　　武漢新芯存儲(chǔ)基地已在 2016 年 3 月底動(dòng)土，根據(jù)先前取得的消息，新的存儲(chǔ)基地將分三期，總規(guī)劃面積約 100 萬平方米，一期于 8 月開工、預(yù)計(jì) 2018 年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約 20 萬片，而官方目標(biāo)到 2020 年基地總產(chǎn)能達(dá) 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。第一步已與 NOR 內(nèi)存廠商飛索半導(dǎo)體（Spansion）簽訂技術(shù)授權(quán)，從 3D NAND Flash 下手，并預(yù)計(jì) 2017 有能力推出 32 層堆疊、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash芯片。在 DRAM 進(jìn)展上與美光洽談技術(shù)授權(quán)還未有眉目，也有消息指出，高啟全正招兵買馬透過人脈挖角中國(guó)臺(tái)灣地區(qū) DRAM 相關(guān)人才，或?yàn)榻◤S做準(zhǔn)備。

 

　　在 SDRAM 進(jìn)展有較大突破的為福建后起勢(shì)力，福建省政府在 5 月宣布，所投資的晉華集成與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，生產(chǎn)利基型 DRAM，團(tuán)隊(duì)由瑞晶、美光臺(tái)灣前總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍，在 7 月 12 寸廠建廠奠基的同時(shí)，已在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的南科建立小型試產(chǎn)線，據(jù)了解初期將導(dǎo)入 32 納米，但最終目標(biāo)其實(shí)放在 25 納米以下制程，以求與其他 DRAM 大廠不致有太大落差，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月 6 萬片，估計(jì) 2017 年底完成技術(shù)開發(fā)，2018 年 9 月試產(chǎn)，并在 2019 年以前將產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至福建新廠。
 

　　而合肥欲起的 DRAM 勢(shì)力在前爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄淡出合肥后，由中國(guó)本土 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與中芯國(guó)際前CEO王寧國(guó)所主導(dǎo)，目前兆易創(chuàng)新將與武岳峰等中國(guó)基金并購(gòu)的美國(guó) DRAM 廠 ISSI 合并，成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)后，另一家 DRAM/NAND Flash 發(fā)展兼具的內(nèi)存廠商。
 

　　除了三廠競(jìng)逐成為焦點(diǎn)，團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)人也頗有淵源，主導(dǎo)合肥團(tuán)隊(duì)的王寧國(guó)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幫瑯映錾碇行緡?guó)際，先前兩派人馬在中芯斗爭(zhēng)多年甚至躍上新聞版面，如今再度碰頭；而現(xiàn)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)的高啟全與聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤，相繼待過華亞科、美光體系，中國(guó)內(nèi)存爭(zhēng)戰(zhàn)熟人相爭(zhēng)就看誰能帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)率先出線。

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