富士通型號MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機存取存儲器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。能夠保持數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85RS2MTA采用串行外圍設備接口SPI。
 
MB85RS2MTA中使用的存儲單元可用于10¹³個讀/寫操作，與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操作數量相比，有了顯著改進。MB85RS2MTA不需要花費很長時間就可以寫入閃存或E2PROM之類的數據，MB85RS2MTA不需要等待時間。FUJITSU代理可提供產品相關技術支持。
 
MB85RS2MTA特征
•位配置：262,144字x8位
•串行外圍設備接口：SPI（串行外圍設備接口）
對應于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作頻率：40MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字節
•數據保留：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）
•工作電源電壓：1.8 V至3.6 V
•低功耗：工作電源電流2.3mA（最大@40 MHz）
待機電流50μA（最大值）
休眠電流10μA（最大值）
•工作環境溫度（溫度范圍：-40°C至+ 85°C
•封裝：8針塑料SOP（FPT-8P-M09）
 8針塑料DIP（DIP-8P-M03）
 符合RoHS
 
引腳
   
 
FRAM具有特性能成就技術“硬核”，FRAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，FRAM還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。其中FRAM寫入次數壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時FRAM寫入數據可在150ns內完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節數據的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有優勢。與傳統的存儲技術相比，FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。


本文關鍵詞： FRAM  

相關文章：富士通FRAM技術和工作原理

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。