美國微芯科技公司(Microchip)宣布，要發(fā)布四款業(yè)界容量最大、速度最快的新器件，擴充了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，普遍應用于汽車和工業(yè)應用。這些1 Mb SPI 和512 Kb器件維持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應。通過四路SQI或SPI協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)緩沖、顯示、音頻、數(shù)學、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。
　  該系列中的還有另外兩個成員，分別是23LCV512和23LCV1024，通過電池備份提供了業(yè)內(nèi)無限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的選擇。實際上，憑借其40 Mbps的快速雙SPI（SDI）吞吐量以及低運行電流和休眠電流，這些串行NVSRAM器件可以高速工作，沒有并行NVSRAM高引腳數(shù)的缺點，其功耗可于FRAM相媲美，并且價格更為低廉。這將有利于黑匣子、電表及其他數(shù)據(jù)記錄應用，這些應用需要無限耐用性或瞬時寫入以及非易失性存儲。
　  Microchip存儲器產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“在設計過程的某個階段，大多數(shù)嵌入式應用需要更大的RAM。這些最新的1 Mb SRAM使設計人員能夠以比轉而采用更大存儲容量單片機或處理器低得多的成本彌補這一不足，而且還比并行SRAM的功耗和成本更低、引腳數(shù)更少。對于需要非易失性RAM的應用，我們還首度增加了有電池備份的兩款器件，其成本明顯低于任何其他類型非易失性RAM。”　Drwinga補充道：“由于并行器件的成本、電路板空間占用和功耗都較高，EEPROM市場已經(jīng)完全轉向串行接口，而閃存市場正在迅速進行這一過渡。我們期望SRAM跟隨這一趨勢，Microchip的串行SRAM產(chǎn)品組合恰恰為嵌入式市場提供了令人信服的選擇。”
　　開發(fā)支持
　　Microchip正在開發(fā)一款PICtail子板，與其Explorer系列模塊化PIC單片機開發(fā)板及XLP 16位開發(fā)板配合使用。該子板預計在2013年2月推出。該子板將可演示Microchip最新串行SRAM系列易失性和非易失性器件的功能，幫助設計人員對這些器件進行快速評估。