觀察三大廠目前的進(jìn)度，合肥長(zhǎng)鑫的廠房在去年第三季開(kāi)始移入測(cè)試用機(jī)臺(tái)，目前進(jìn)度與晉華集成差不多，將會(huì)在今年第三季進(jìn)行試產(chǎn)，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年，時(shí)程較預(yù)期要落后一點(diǎn)。由于合肥長(zhǎng)鑫直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，隨后面臨專利爭(zhēng)議的可能性也較高，所以為了避免發(fā)生這種狀況，除了積極取得專利權(quán)外，合肥長(zhǎng)鑫初期可能將目標(biāo)市場(chǎng)定于國(guó)內(nèi)。

 

至于專注于利基型記憶的晉華集成，在2016年7月宣布在福建省晉江市建12英寸廠，投資金額約53億美元，其中利基型內(nèi)存的試產(chǎn)延后至今年第三季度，量產(chǎn)時(shí)間也定于明年上半年。

 

2016年12月底，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式動(dòng)土，官方預(yù)期分三階段進(jìn)行建設(shè)，總共要建立三座3D-NAND Flash廠房。第一階段廠房在去年9月完成興建，預(yù)期2018年第三季開(kāi)始移入機(jī)臺(tái)，在第四季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過(guò)1萬(wàn)片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，在64層技術(shù)逐步成熟后，再視情況擬定第二、三期生產(chǎn)計(jì)劃。

 

隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020-2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將漸漸滿載，最好的情況下，到時(shí)兩家合計(jì)約有每月25萬(wàn)片的投片規(guī)模，可能將開(kāi)始影響全球DRAM市場(chǎng)的供給。另一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃設(shè)有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬(wàn)片，不排除長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成64層產(chǎn)品開(kāi)發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片，進(jìn)而在未來(lái)三到五年對(duì)NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。 


本文關(guān)鍵詞：NAND Flash

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