3D堆疊內(nèi)存芯片SRAM與DRAM封裝技術的特性
2025-10-10 09:47:14
SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器通常直接集成在計算芯片內(nèi)部，以實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)訪問，但其容量往往受限。近年來，通過3D堆疊技術的引入，SRAM在保持高集成度的同時實現(xiàn)了容量的有效提升。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）則在封裝形式上具有更豐富的方案。從歷史發(fā)展來看，DRAM普遍采用雙列直插內(nèi)存模塊（DIMMs）進行封裝，該形式支持模塊化擴展，為用戶提供了靈活的配置選擇。
如今，
DRAM封裝技術更加注重低功耗和高帶寬的性能需求。例如，低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存（LPDDR）在保持相對較低功耗的同時，實現(xiàn)了較高的傳輸速率——其每引腳帶寬可達10 Gbps，顯著高于傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的5.6 Gbps。然而，LPDDR通常需直接焊接到主板上，因此在獲得性能與能效提升的同時，犧牲了類似DDR DIMMs的可插拔與可重構能力。
高帶寬內(nèi)存（HBM）則通過多個存儲裸片的3D堆疊和硅中介層（Interposer）互連，進一步提升了帶寬性能。但其制造工藝復雜，對技術的要求極高，導致生產(chǎn)良率偏低。因此，HBM的成本遠高于DDR DRAM，同時受制于物理和工藝限制，其單封裝容量仍難以實現(xiàn)太字節(jié)（TB）級別，使得超大容量片上內(nèi)存配置在目前仍不具可行性。
這些封裝技術的創(chuàng)新為不同應用場景提供了多樣的性能與成本權衡選擇。而在片上內(nèi)存方面，增益單元嵌入式DRAM（GC-eDRAM）結合了DRAM的高密度特性與SRAM的易于集成優(yōu)勢，僅需在數(shù)據(jù)保留時間方面作出一定妥協(xié)，為高集成度與帶寬需求的嵌入式系統(tǒng)提供了一種有潛力的解決方案。
英尚微電子專注于SRAM、DRAM存儲器，微處理器，SoC模擬器件，功率器件等半導體產(chǎn)品的推廣與研究，以專業(yè)行業(yè)經(jīng)驗為客戶提供產(chǎn)品選型設計，協(xié)助客戶研發(fā)產(chǎn)品。如您想了解更多相關產(chǎn)品訊息，歡迎您來電咨詢。
本文關鍵詞：SRAM,DRAM
上一篇文章：存儲芯片的分類特點
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
