靜態隨機存儲器(SRAM)是一種基于觸發器邏輯電路的半導體存儲器。只要處于上電狀態，SRAM中寫入的信息就不會消失，不需要刷新電路。傳統的硅(Si)基SRAM包括6個金屬氧化物半導體場效應品體管。
 
    在計算機存儲體系結構中，SRAM的存儲速度較快，主要用于高速緩存，一般集成在中央處理器(CPU)中。隨著計算機性能的不斷提升，SRAM作為數據交換的重要媒介，在CPU中所占的面積越來越大，導致功耗、性能、面積和成本發生嚴重的退化。
 
為此，學界和業界都提出利用3D堆疊的方式，在不斷改進芯片工藝的同時，提高芯片的面積利用率。SRAM相對于其他邏輯計算單元，是一個相對獨立的模塊，利用后道工藝或疊層工藝更容易將SRAM與邏輯器件進行3D集成。
 
    然而，對于傳統的硅基SRAM來說，采用BEOL工藝或看層工藝的實現3D集成的難度非常大，對工藝溫度的要求也很高。雖然，氧化物半導體具有可堆疊和低溫工藝的優勢，但氧化物半導體為單極性溝道材料，應用于SRAM中，會使SRAM的電路設計更加復雜，導致SRAM內的器件(例如晶體管)以及器件間連接走線占用的面積隨之增大。
 
    華為申請實施例提供一種存儲器、電子設備，涉及存儲器技術領域，用于在實現單極性存儲器的同時，提高存儲器的面積利用率。該存儲器包括第一電路結構層、第二電路結構層和多個互連結構。
 
    第一電路結構層包括第一反相器。第二電路結構層包括第二反相器。第一反相器的多個品體管和第二反相器的多個品體管極性相同。第反相器的多個品體管,及第二反相器的多個品體管均沿平行于參考面的第一方向依次排列。第一反相器的多個品體管在參考面上的正投影與第反相器的多個品體管在參考面上正投影交疊:且第一反相器和第二反相器通過多個互連結構電連接。上述存儲器應用于電子設備中，以提高電子設備的存儲能力。


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