三星半導體通過結構創新，實現了基于MRAM的存儲內運算，進一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術。
 
傳統的運算體系中，存儲中的數據要轉移到處理芯片的數據運算單元進行處理，因此其對于頻寬、延遲的要求非常高。
 
至于存儲內運算則是一種新的運算模式，也可以當作存儲與運算一體化的表現，也就是說，在存儲中同時執行數據儲存、數據運算處理，無需移動數據。同時在存儲網路中的數據處理是以高度平行的方式執行，因此提高性能的同時，還能大大降低功耗。
 
如果與其他存儲比較，MRAM在運行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢，功耗也遠低于傳統DRAM，關鍵是還具有非揮發的特點，斷電也不會丟失數據。
 
可是MRAM也有其缺點，因為很難用于存儲內運算，使得在標準的存儲內運算架構中無法發揮低功耗優勢。為了克服這一點，三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”的新型存儲內運算架構，取代“電流總和”架構，進而成功開發了一種能演示存儲內運算架構的MRAM陣列芯片，命名為“用于存儲內運算的磁阻式存儲交叉陣列”。
 
目前來看，這一交叉陣列成功解決了單個MRAM小電阻問題，從而降低功耗，實現了基于MRAM的存儲內運算。按照三星研究，在執行AI運算時，采用MRAM存儲內運算可以實現98%的筆跡辨識成功率、以及93%的人臉辨識準確率。
 
全球MRAM市場2021年至2026年的年復合成長率將達25%，并于2026年達到62億美元的規模。該市場的主要驅動力是對穿戴式裝置的需求增加、物聯網設備的高度采用、運算技術的進步、對更高存儲空間的需求以及縮短啟動時間等因素。除了三星之外，Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商。

Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋轉矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性傳感器以及航空和衛星電子系統，公司產品應用于工業，汽車，運輸和企業存儲市場。
 
 
本文關鍵詞： MRAM,Everspin

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